Справочник MOSFET. STP8N120K5

 

STP8N120K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP8N120K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8N120K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  st
stp8n120k5.pdfpdf_icon

STP8N120K5

STP8N120K5DatasheetN-channel 1200 V, 1.65 typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeTABSTP8N120K5 1200 V 2.00 6 A 130 W Industrys lowest RDS(on) x area32 Industrys best FoM (figure of merit)1TO-220 Ultra-low gate charge 100% avalanche tested Zener-protectedD(2, TAB)Applications

 9.1. Size:698K  st
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdfpdf_icon

STP8N120K5

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

 9.2. Size:326K  st
stp8nc60.pdfpdf_icon

STP8N120K5

STP8NC60STP8NC60FPN-CHANNEL 600V - 0.85 - 7A TO-220/TO-220FPPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP8NC60 600 V

 9.3. Size:554K  st
stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdfpdf_icon

STP8N120K5

STD5NM60STB8NM60 - STP8NM60N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAKFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw31STD5NM60 650 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF9Z34NSPBF | BL2N60-A

 

 
Back to Top

 


 
.