STW35N65DM2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW35N65DM2
Маркировка: 35N65DM2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 56.3 nC
Время нарастания (tr): 23 ns
Выходная емкость (Cd): 115 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STW35N65DM2
STW35N65DM2 Datasheet (PDF)
stw35n65dm2.pdf
STW35N65DM2DatasheetN-channel 650 V, 93 m typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTW35N65DM2 650 V 110 m 32 A Fast-recovery body diode3 Extremely low gate charge and input capacitance21 Low on-resistance 100% avalanche testedTO-247 Extremely high dv/dt ruggedness Zener-protectedD(2, TAB
stb35n65m5 stf35n65m5 sti35n65m5 stp35n65m5 stw35n65m5.pdf
STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5STP35N65M5, STW35N65M5N-channel 650 V, 0.085 , 27 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ Type RDS(on) max IDTJMAX 33123 12STB35N65M5 710 V
stw35n60dm2.pdf
STW35N60DM2 N-channel 600 V, 0.094 typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code VDS ID PTOT max. STW35N60DM2 600 V 0.110 28 A 210 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extremely
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
