STW37N60DM2AG - аналоги и даташиты транзистора

 

STW37N60DM2AG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STW37N60DM2AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW37N60DM2AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW37N60DM2AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:699K  st
 stw37n60dm2ag.pdf pdf_icon

STW37N60DM2AG

STW37N60DM2AG Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT STW37N60DM2AG 600 V 0.110 28 A 210 W Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified 3 Fast-recovery body diode 2 Extremely low gate charge and input 1capac

Другие MOSFET... STW20N95DK5 , STW25N60M2-EP , STW26N60M2 , STW28N60DM2 , STW33N60DM2 , STW35N60DM2 , STW35N65DM2 , STW36N60M6 , BS170 , STW40N90K5 , STW43N60DM2 , STW45N60DM2AG , STW45N60DM6 , STW48N60DM2 , STW48N60M6 , STW48N60M6-4 , STW50N65DM2AG .

 

 
Back to Top

 


 
.