STW56N65DM2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW56N65DM2
Маркировка: 56N65DM2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 88 nC
trⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STW56N65DM2
STW56N65DM2 Datasheet (PDF)
stw56n65dm2.pdf
STW56N65DM2 N-channel 650 V, 0.058 typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW56N65DM2 650 V 0.065 48 A 360 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extre
stw56n65m2.pdf
STW56N65M2N-channel 650 V, 0.049 typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTW56N65M2 650 V 0.062 49 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested32 Zener-protected1ApplicationsTO-247 Switching applicationsFigure
stw56n65m2-4.pdf
STW56N65M2-4N-channel 650 V, 0.049 typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTW56N65M2-4 650 V 0.062 49 A Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin Extremely low gate charge4 Excellent output capacitance (Coss) profile 32 100% avalanche tes
stw56n60m2-4.pdf
STW56N60M2-4 N-channel 600 V, 0.045 typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features Order code V Jmax DS(on) DDS @ T R max I STW56N60M2-4 650 V 0.055 52 A Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100%
stw56n60m2.pdf
STW56N60M2N-channel 600 V, 0.045 typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS @ TJmax max IDSTW56N60M2 650 V 0.055 52 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (Coss) profile 32 100% avalanche tested1 Zener-protectedTO-247Applications Switching application
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
