STW56N65DM2. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STW56N65DM2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STW56N65DM2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STW56N65DM2 даташит
stw56n65dm2.pdf
STW56N65DM2 N-channel 650 V, 0.058 typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code V I P DS D TOT max. STW56N65DM2 650 V 0.065 48 A 360 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2 capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extre
stw56n65m2.pdf
STW56N65M2 N-channel 650 V, 0.049 typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STW56N65M2 650 V 0.062 49 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested 3 2 Zener-protected 1 Applications TO-247 Switching applications Figure
stw56n65m2-4.pdf
STW56N65M2-4 N-channel 650 V, 0.049 typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STW56N65M2-4 650 V 0.062 49 A Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin Extremely low gate charge 4 Excellent output capacitance (Coss) profile 3 2 100% avalanche tes
stw56n60m2-4.pdf
STW56N60M2-4 N-channel 600 V, 0.045 typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features Order code V Jmax DS(on) D DS @ T R max I STW56N60M2-4 650 V 0.055 52 A Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100%
Другие MOSFET... STW40N90K5 , STW43N60DM2 , STW45N60DM2AG , STW45N60DM6 , STW48N60DM2 , STW48N60M6 , STW48N60M6-4 , STW50N65DM2AG , IRFP460 , STW63N65DM2 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 , STW75N60M6 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet





