STW63N65DM2 - описание и поиск аналогов

 

STW63N65DM2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW63N65DM2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для STW63N65DM2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW63N65DM2 даташит

 ..1. Size:706K  st
 stw63n65dm2.pdf pdf_icon

STW63N65DM2

STW63N65DM2 N-channel 650 V, 0.042 typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code V I P DS D TOT max. STW63N65DM2 650 V 0.05 60 A 446 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2 capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extreme

Другие MOSFET... STW43N60DM2 , STW45N60DM2AG , STW45N60DM6 , STW48N60DM2 , STW48N60M6 , STW48N60M6-4 , STW50N65DM2AG , STW56N65DM2 , IRFZ44 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 , STW75N60M6 , STW8N120K5 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.