Справочник MOSFET. STW63N65DM2

 

STW63N65DM2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW63N65DM2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW63N65DM2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW63N65DM2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  st
 stw63n65dm2.pdf pdf_icon

STW63N65DM2

STW63N65DM2 N-channel 650 V, 0.042 typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW63N65DM2 650 V 0.05 60 A 446 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extreme

Другие MOSFET... STW43N60DM2 , STW45N60DM2AG , STW45N60DM6 , STW48N60DM2 , STW48N60M6 , STW48N60M6-4 , STW50N65DM2AG , STW56N65DM2 , IRFZ44 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 , STW75N60M6 , STW8N120K5 .

History: AP9565AGJ-HF | BSZ440N10NS3G | 2SK3044 | UT3N06G-TN3-R | IRFI4410ZPBF | IRF2804LPBF | 2SK3277

 

 
Back to Top

 


 
.