Справочник MOSFET. STW63N65DM2

 

STW63N65DM2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW63N65DM2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STW63N65DM2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  st
 stw63n65dm2.pdf pdf_icon

STW63N65DM2

STW63N65DM2 N-channel 650 V, 0.042 typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW63N65DM2 650 V 0.05 60 A 446 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extreme

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.