STW63N65DM2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STW63N65DM2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STW63N65DM2
STW63N65DM2 Datasheet (PDF)
stw63n65dm2.pdf
STW63N65DM2 N-channel 650 V, 0.042 typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW63N65DM2 650 V 0.05 60 A 446 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extreme
Другие MOSFET... STW43N60DM2 , STW45N60DM2AG , STW45N60DM6 , STW48N60DM2 , STW48N60M6 , STW48N60M6-4 , STW50N65DM2AG , STW56N65DM2 , IRFZ44 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 , STW75N60M6 , STW8N120K5 .
History: IXFY26N30X3 | SW2N65 | SM4805DSK
History: IXFY26N30X3 | SW2N65 | SM4805DSK
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout


