Справочник MOSFET. STW9N80K5

 

STW9N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW9N80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STW9N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:791K  st
stp9n80k5 stw9n80k5.pdfpdf_icon

STW9N80K5

STP9N80K5, STW9N80K5 N-channel 800 V, 0.73 typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFETs in a TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTP9N80K5 800 V 0.90 7 A STW9N80K5 33 Industrys lowest R x area DS(on)221 Industrys best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avala

 9.1. Size:132K  st
2sk2078 stw9na80.pdfpdf_icon

STW9N80K5

STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V

 9.2. Size:125K  st
stw9na60.pdfpdf_icon

STW9N80K5

STW9NA60STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA60 600 V

 9.3. Size:991K  st
stb9nk90z stf9nk90z stp9nk90z stw9nk90z.pdfpdf_icon

STW9N80K5

STB9NK90Z, STF9NK90ZSTP9NK90Z, STW9NK90ZN-channel 900 V, 1.1 , 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax.331STB9NK90Z 160 W 21DPAKTO-220STW9NK90Z 160 W900V

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.