Справочник MOSFET. SIHFP450

 

SIHFP450 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFP450
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFP450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1560K  vishay
 irfp450 sihfp450.pdf pdf_icon

SIHFP450

IRFP450, SiHFP450Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Isolated Central Mounting Hole RoHS*Qg (Max.) (nC) 150COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 20 Ease of ParallelingQgd (nC) 80 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Lead (P

 0.1. Size:1566K  vishay
 irfp450lc sihfp450lc.pdf pdf_icon

SIHFP450

IRFP450LC, SiHFP450LCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 74 Reduced Ciss, Coss, CrssCOMPLIANTQgs (nC) 19 Isolated Central Mounting HoleQgd (nC) 35 Dynamic dV/dt RatedConfiguration

 0.2. Size:302K  vishay
 irfp450a sihfp450a.pdf pdf_icon

SIHFP450

IRFP450A, SiHFP450AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 64RuggednessCOMPLIANTQgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 26Avalanche Voltage and CurrentConfigu

 0.3. Size:1570K  infineon
 irfp450lc sihfp450lc.pdf pdf_icon

SIHFP450

IRFP450LC, SiHFP450LCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 74 Reduced Ciss, Coss, CrssCOMPLIANTQgs (nC) 19 Isolated Central Mounting HoleQgd (nC) 35 Dynamic dV/dt RatedConfiguration

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.