SI3460BDV - описание и поиск аналогов

 

SI3460BDV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI3460BDV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SI3460BDV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3460BDV даташит

 ..1. Size:242K  vishay
 si3460bdv.pdf pdf_icon

SI3460BDV

Si3460BDV Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.027 at VGS = 4.5 V 8 TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.032 at VGS = 2.5 V 20 8 9 nC 0.040 at VGS = 1.8 V 8 APPLICATIONS Load Switch for Portable Applica

 6.1. Size:211K  vishay
 si3460bd.pdf pdf_icon

SI3460BDV

Si3460BDV Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.027 at VGS = 4.5 V 8 TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.032 at VGS = 2.5 V 20 8 9 nC 0.040 at VGS = 1.8 V 8 APPLICATIONS Load Switch for Portable Applica

 8.1. Size:177K  vishay
 si3460dv.pdf pdf_icon

SI3460BDV

Si3460DV Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.027 at VGS = 4.5 V 6.8 TrenchFET Power MOSFET 0.032 at VGS = 2.5 V 20 6.3 100 % Rg Tested 0.038 at VGS = 1.8 V 5.7 Compliant to RoHS directive 2002/95/EC TSOP-6 (1, 2, 5, 6) D Top View 1 6

 8.2. Size:612K  vishay
 si3460dd si3460ddv.pdf pdf_icon

SI3460BDV

Si3460DDV Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.028 at VGS = 4.5 V 7.9 TrenchFET Power MOSFET 20 0.032 at VGS = 2.5 V 7.4 6.7 nC 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested 0.038 at VGS = 1.8 V 6.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHLU120 , SI1016X , SI1024X , SI1078X , SI1900DL , SI1902DL , SI2308CDS , SI3440ADV , SKD502T , SI3469DV , SI3493DDV , SI3993DV , SI4058DY , SI4062DY , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY .

History: 2SK2052 | STF7LN80K5 | 2SK3574-S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.