Справочник MOSFET. SI7900AEDN

 

SI7900AEDN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7900AEDN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.3 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
 

 Аналог (замена) для SI7900AEDN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7900AEDN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  vishay
 si7900aedn.pdf pdf_icon

SI7900AEDN

Si7900AEDNVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common DrainFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.026 at VGS = 4.5 V 8.5 New PowerPak Package RoHS0.030 at VGS = 2.5 V 20 8COMPLIANT- Low Thermal Resistance, RthJC0.036 at VGS = 1.8 V 7- Low 1.07 mm Profile

 9.1. Size:553K  vishay
 si7904bd.pdf pdf_icon

SI7900AEDN

Si7904BDNVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.030 at VGS = 4.5 V 6 TrenchFET Power MOSFET0.036 at VGS = 2.5 V 20 69 nCAPPLICATIONS0.045 at VGS = 1.8 V 6 HDD Spindle DrivePowerPAK 1212-8S1 3.30 mm 3.30 mm 1 D1 D2G

 9.2. Size:551K  vishay
 si7905dn.pdf pdf_icon

SI7900AEDN

Si7905DNVishay SiliconixDual P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.060 at VGS = - 10 V - 6e Low Thermal Resistance PowerPAK- 40 11 nC0.089 at VGS = - 4.5V - 5fPackage with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg and

 9.3. Size:534K  vishay
 si7904dn.pdf pdf_icon

SI7900AEDN

Si7904DNVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V Rated0.030 at VGS = 4.5 V 7.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK RoHSCOMPLIANT0.036 at VGS = 2.5 V 20 7.0Package with Low 1.07 mm Profile0.045 at VGS = 1.8 V 6.3APPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4936ADY , SI4946CDY , SI4966DY , SI5948DU , SI7113ADN , SI7153DN , SI7218DN , SI7615CDN , STP80NF70 , SI7972DP , SI8823EDB , SI8824EDB , SI8902AEDB , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ .

History: NCEP02580F | SSG4228 | SM1A25NSK | WML10N80D1 | WMM05N100C2 | RSS100N03T | OSG65R580DEF

 

 
Back to Top

 


 
.