SI8823EDB - аналоги и даташиты транзистора

 

SI8823EDB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI8823EDB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-FOOT0.8X0.8
 

 Аналог (замена) для SI8823EDB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8823EDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  vishay
 si8823edb.pdf pdf_icon

SI8823EDB

Si8823EDBwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESMICRO FOOT 0.8 x 0.8S TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET22SS Compact 0.8 mm x 0.8 mm outline area33 Low 0.4 mm max. profile RDS(on) rating at VGS = -1.5 V Typical ESD protection: 1900 V HBM11GG Material categorization: for definitions of compliance 4

 9.1. Size:153K  vishay
 si8822.pdf pdf_icon

SI8823EDB

 9.2. Size:134K  vishay
 si8821edb.pdf pdf_icon

SI8823EDB

 9.3. Size:155K  vishay
 si8824edb.pdf pdf_icon

SI8823EDB

Si8824EDBwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) Ultra small 0.8 mm x 0.8 mm outline0.075 at VGS = 4.5 V 2.9 Ultra thin 0.357 mm height0.082 at VGS = 2.5 V 2.7 Typical ESD protection 2000 V (HBM)20 0.090 at VGS = 1.8 V 2.6 2.7 nC Material categ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4966DY , SI5948DU , SI7113ADN , SI7153DN , SI7218DN , SI7615CDN , SI7900AEDN , SI7972DP , SKD502T , SI8824EDB , SI8902AEDB , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ , SIA472EDJ , SIA918EDJ .

History: 10N60G-TF2-T | S-LNTK3043PT5G | 12N06 | 5N65AF | VN2406 | APT30M17JFLL

 

 
Back to Top

 


 
.