SIHA21N60EF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIHA21N60EF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.176 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для SIHA21N60EF
SIHA21N60EF Datasheet (PDF)
siha21n60ef.pdf

SiHA21N60EFwww.vishay.comVishay SiliconixEF Series Power MOSFET with Fast Body DiodeFEATURESDThin-Lead TO-220 FULLPAK Fast body diode MOSFET using E series technology Reduced trr, Qrr, and IRRM Low figure-of-merit (FOM): Ron x QgG Low input capacitance (Ciss)Available Increased robustness due to low Qrr Ultra low gate charge (Qg) Avalanche en
siha22n60ael.pdf

SiHA22N60AELwww.vishay.comVishay SiliconixEL Series Power MOSFETFEATURESDThin-Lead TO-220 FULLPAK Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction lossesG Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS) Material categorization: for definitions of compliance Splease see www.vishay.com/doc?999
siha22n60e.pdf

SiHA22N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.18 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 86 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 11 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 24
siha25n50e.pdf

SiHA25N50Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM): Ron x QgVDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.145 Reduced switching and conduction lossesQg (Max.) (nC) 86 Low gate charge (Qg)Qgs (nC) 14Qgd (nC) 25 Avalanche energy rated (UIS)Config
Другие MOSFET... SI8902AEDB , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ , SIA472EDJ , SIA918EDJ , SIA923AEDJ , K2611 , SIHA22N60AE , SIHA22N60AEL , SIHD4N80E , SIHG17N80E , SIHG70N60EF , SIHH180N60E , SIHH27N60EF , SIHP11N80E .
History: 2SK1570 | IPI024N06N3G | WMJ4N150D1 | 1N80 | SVS5N70MN | CS6N60A3HDY
History: 2SK1570 | IPI024N06N3G | WMJ4N150D1 | 1N80 | SVS5N70MN | CS6N60A3HDY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c