SIHP120N60E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHP120N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHP120N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHP120N60E даташит

 ..1. Size:124K  vishay
 sihp120n60e.pdf pdf_icon

SIHP120N60E

SiHP120N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES D 4th generation E series technology TO-220AB Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low effective capacitance (Co(er)) G Reduced switching and conduction losses Avalanche energy rated (UIS) S Material categorization for definitions of compliance D S please see www.vishay.com/doc?999

 8.1. Size:167K  vishay
 sihp12n65e.pdf pdf_icon

SIHP120N60E

SiHP12N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 70 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 9 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 16 M

 8.2. Size:210K  vishay
 sihp12n60e.pdf pdf_icon

SIHP120N60E

SiHP12N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.38 Reduced Switching and Conduction Losses Qg max. (nC) 58 Ultra Low Gate Charge (Qg) Qgs (nC) 6 Avalanche Energy Rated (UIS) Qgd (nC) 13

 8.3. Size:154K  vishay
 sihp12n50c sihb12n50c sihf12n50c.pdf pdf_icon

SIHP120N60E

SiHP12N50C, SiHB12N50C, SiHF12N50C Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 560 V RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.555 100 % Avalanche Tested Qg (Max.) (nC) 48 Gate Charge Improved Qgs (nC) 12 Trr/Qrr Improved Qgd (nC) 15 Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TO-220AB TO-220 FULLPAK

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHA22N60AE, SIHA22N60AEL, SIHD4N80E, SIHG17N80E, SIHG70N60EF, SIHH180N60E, SIHH27N60EF, SIHP11N80E, IRFZ46N, SIHP17N80E, SIHP25N60EFL, SIR164ADP, SIR182DP, SIR610DP, SIR624DP, SIR626DP, SIR638DP