Справочник MOSFET. SIRA32DP

 

SIRA32DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIRA32DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SIRA32DP

 

 

SIRA32DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
 sira32dp.pdf

SIRA32DP SIRA32DP

SiRA32DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reducesD 7D 6switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions ofcompliance please see www.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS D

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top