SIRA32DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIRA32DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SIRA32DP
SIRA32DP Datasheet (PDF)
sira32dp.pdf

SiRA32DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reducesD 7D 6switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions ofcompliance please see www.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS D
Другие MOSFET... SIR873DP , SIRA01DP , SIRA10BDP , SIRA12BDP , SIRA14BDP , SIRA18ADP , SIRA24DP , SIRA26DP , IRF540 , SIRA52DP , SIRA60DP , SIRA64DP , SIRA66DP , SIRA72DP , SIRA84DP , SIRA88DP , SIRA96DP .
History: SWF4N65DA | TMAN16N60A | SSF6010A | GSM4210 | SRT06N095LMG | IRFR420A | IPN60R360PFD7S
History: SWF4N65DA | TMAN16N60A | SSF6010A | GSM4210 | SRT06N095LMG | IRFR420A | IPN60R360PFD7S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330