Справочник MOSFET. SIRA32DP

 

SIRA32DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIRA32DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIRA32DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA32DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
 sira32dp.pdf pdf_icon

SIRA32DP

SiRA32DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reducesD 7D 6switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions ofcompliance please see www.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS D

Другие MOSFET... SIR873DP , SIRA01DP , SIRA10BDP , SIRA12BDP , SIRA14BDP , SIRA18ADP , SIRA24DP , SIRA26DP , IRF540 , SIRA52DP , SIRA60DP , SIRA64DP , SIRA66DP , SIRA72DP , SIRA84DP , SIRA88DP , SIRA96DP .

History: GMM3x160-0055X2-SMD | BSC100N10NSFG | GSM4210 | FDZ663P | SSF1320N | NCEP85T25T

 

 
Back to Top

 


 
.