SIRA72DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIRA72DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SIRA72DP
SIRA72DP Datasheet (PDF)
sira72dp.pdf
SiRA72DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Tuned for the lowest RDS-Qoss FOM D 65 100 % Rg and UIS tested Qgd/Qgs ratio
Другие MOSFET... SIRA18ADP , SIRA24DP , SIRA26DP , SIRA32DP , SIRA52DP , SIRA60DP , SIRA64DP , SIRA66DP , IRF640 , SIRA84DP , SIRA88DP , SIRA96DP , SIS472BDN , SIS488DN , SISA01DN , SISA24DN , SISA66DN .
History: NCE60P45AK | LNE12N65 | SIRA14BDP | SSM6J53FE | RU206G | CHT84SGP | CHT170GP
History: NCE60P45AK | LNE12N65 | SIRA14BDP | SSM6J53FE | RU206G | CHT84SGP | CHT170GP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198


