SIRA72DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIRA72DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIRA72DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA72DP даташит

 ..1. Size:396K  vishay
 sira72dp.pdf pdf_icon

SIRA72DP

SiRA72DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 D 7 Tuned for the lowest RDS-Qoss FOM D 6 5 100 % Rg and UIS tested Qgd/Qgs ratio

Другие IGBT... SIRA18ADP, SIRA24DP, SIRA26DP, SIRA32DP, SIRA52DP, SIRA60DP, SIRA64DP, SIRA66DP, IRF640, SIRA84DP, SIRA88DP, SIRA96DP, SIS472BDN, SIS488DN, SISA01DN, SISA24DN, SISA66DN