SIRA72DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIRA72DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 27.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 41.5 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 455 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SIRA72DP Datasheet (PDF)
..1. Size:396K vishay
sira72dp.pdf
sira72dp.pdf
SiRA72DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Tuned for the lowest RDS-Qoss FOM D 65 100 % Rg and UIS tested Qgd/Qgs ratio
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
