Справочник MOSFET. SIRA72DP

 

SIRA72DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIRA72DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIRA72DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA72DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  vishay
 sira72dp.pdf pdf_icon

SIRA72DP

SiRA72DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Tuned for the lowest RDS-Qoss FOM D 65 100 % Rg and UIS tested Qgd/Qgs ratio

Другие MOSFET... SIRA18ADP , SIRA24DP , SIRA26DP , SIRA32DP , SIRA52DP , SIRA60DP , SIRA64DP , SIRA66DP , IRFP460 , SIRA84DP , SIRA88DP , SIRA96DP , SIS472BDN , SIS488DN , SISA01DN , SISA24DN , SISA66DN .

History: WNM2023 | NTZD3155CT1G

 

 
Back to Top

 


 
.