SIRA88DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIRA88DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16.8 nC
Время нарастания (tr): 28 ns
Выходная емкость (Cd): 305 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0067 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SIRA88DP Datasheet (PDF)
sira88dp.pdf
SiRA88DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 100 % Rg and UIS testedD 6 Material categorization: 5for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121APPLICATIONS2 SD3 S DC/DC conversion4 S1G Battery protectionTop View Bottom V
sira84dp.pdf
SiRA84DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Tuned for reducing transient spikesD 7D 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS D4 S1 Synchronous buck convert
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
