Справочник MOSFET. SIRA88DP

 

SIRA88DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIRA88DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIRA88DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA88DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  vishay
 sira88dp.pdf pdf_icon

SIRA88DP

SiRA88DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 100 % Rg and UIS testedD 6 Material categorization: 5for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121APPLICATIONS2 SD3 S DC/DC conversion4 S1G Battery protectionTop View Bottom V

 9.1. Size:405K  vishay
 sira84dp.pdf pdf_icon

SIRA88DP

SiRA84DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Tuned for reducing transient spikesD 7D 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS D4 S1 Synchronous buck convert

Другие MOSFET... SIRA26DP , SIRA32DP , SIRA52DP , SIRA60DP , SIRA64DP , SIRA66DP , SIRA72DP , SIRA84DP , IRFP260N , SIRA96DP , SIS472BDN , SIS488DN , SISA01DN , SISA24DN , SISA66DN , SISA72DN , SISA88DN .

History: MTB20N04J3 | TK13A60W | SI6413DQ | SSP7440N | NDS9945-NL

 

 
Back to Top

 


 
.