SIS472BDN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS472BDN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 287 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

Аналог (замена) для SIS472BDN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS472BDN даташит

 ..1. Size:231K  vishay
sis472bdn.pdfpdf_icon

SIS472BDN

SiS472BDN www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 D 7 100 % Rg and UIS tested D 6 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 S S APPLICATIONS 3 S D 4 S 1 G DC/DC power supplies Top View Bottom View

 8.1. Size:559K  vishay
sis472dn.pdfpdf_icon

SIS472BDN

SiS472DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0089 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET 30 9.8 nC 0.0124 at VGS = 4.5 V 20 Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation 100 % Rg Tested PowerPAK 1212-8 100 % UI

 8.2. Size:561K  vishay
sis472adn.pdfpdf_icon

SIS472BDN

SiS472ADN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a, g Qg (Typ.) Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation 0.0085 at VGS = 10 V 24 30 12.8 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0105 at VGS = 4.5 V 24 Material categorization For definitions of compliance please see P

 9.1. Size:574K  vishay
sis476dn.pdfpdf_icon

SIS472BDN

New Product SiS476DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) Definition 0.0025 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Gen IV Power MOSFET 30 22.5 nC 0.0035 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 1212

Другие IGBT... SIRA52DP, SIRA60DP, SIRA64DP, SIRA66DP, SIRA72DP, SIRA84DP, SIRA88DP, SIRA96DP, IRF640N, SIS488DN, SISA01DN, SISA24DN, SISA66DN, SISA72DN, SISA88DN, SISA96DN, SISB46DN