SISA24DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SISA24DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

Аналог (замена) для SISA24DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA24DN даташит

 ..1. Size:197K  vishay
 sisa24dn.pdf pdf_icon

SISA24DN

SiSA24DN www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 25 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 D Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces 7 D 6 switching related power loss 5 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 S S 3 APP

Другие IGBT... SIRA66DP, SIRA72DP, SIRA84DP, SIRA88DP, SIRA96DP, SIS472BDN, SIS488DN, SISA01DN, IRFB4227, SISA66DN, SISA72DN, SISA88DN, SISA96DN, SISB46DN, SISS27ADN, SISS27DN, SISS98DN