Справочник MOSFET. SISA24DN

 

SISA24DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SISA24DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
 

 Аналог (замена) для SISA24DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA24DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  vishay
 sisa24dn.pdf pdf_icon

SISA24DN

SiSA24DNwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD8D Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces 7D6switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912112SS3APP

Другие MOSFET... SIRA66DP , SIRA72DP , SIRA84DP , SIRA88DP , SIRA96DP , SIS472BDN , SIS488DN , SISA01DN , AON6414A , SISA66DN , SISA72DN , SISA88DN , SISA96DN , SISB46DN , SISS27ADN , SISS27DN , SISS98DN .

History: TK15D60U | SST65R600S3

 

 
Back to Top

 


 
.