SISA66DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SISA66DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1032 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

Аналог (замена) для SISA66DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA66DN даташит

 ..1. Size:586K  vishay
 sisa66dn.pdf pdf_icon

SISA66DN

SiSA66DN www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 D 7 100 % Rg and UIS tested D 6 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 S S D APPLICATIONS 3 S 4 S 1 Personal computers and servers G Top View Botto

Другие IGBT... SIRA72DP, SIRA84DP, SIRA88DP, SIRA96DP, SIS472BDN, SIS488DN, SISA01DN, SISA24DN, IRF3710, SISA72DN, SISA88DN, SISA96DN, SISB46DN, SISS27ADN, SISS27DN, SISS98DN, SIUD402ED