Справочник MOSFET. SISA66DN

 

SISA66DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SISA66DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1032 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
 

 Аналог (замена) для SISA66DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA66DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  vishay
 sisa66dn.pdf pdf_icon

SISA66DN

SiSA66DNwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD8D7 100 % Rg and UIS testedD65 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912112SSDAPPLICATIONS3S4S1 Personal computers and serversGTop View Botto

Другие MOSFET... SIRA72DP , SIRA84DP , SIRA88DP , SIRA96DP , SIS472BDN , SIS488DN , SISA01DN , SISA24DN , P55NF06 , SISA72DN , SISA88DN , SISA96DN , SISB46DN , SISS27ADN , SISS27DN , SISS98DN , SIUD402ED .

History: IPP80N04S3-03 | SST65R600S2E | STB85NF55L | JCS9N50RC | NCES120R018T4 | IPP070N06LG | SIS612EDNT

 

 
Back to Top

 


 
.