Справочник MOSFET. SISS98DN

 

SISS98DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SISS98DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8S
 

 Аналог (замена) для SISS98DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISS98DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  vishay
 siss98dn.pdf pdf_icon

SISS98DN

SiSS98DNwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (MAX.) ID (A) a Qg (TYP.) Optimized Qg and Qoss improve efficiency0.105 at VGS = 10 V 14.1200 9.3 nC0.110 at VGS = 7.5 V 13.8 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of PowerPAK 1212-8Scompli

Другие MOSFET... SISA24DN , SISA66DN , SISA72DN , SISA88DN , SISA96DN , SISB46DN , SISS27ADN , SISS27DN , STP75NF75 , SIUD402ED , SIUD403ED , SIUD412ED , SIZ320DT , SIZ322DT , SIZ346DT , SIZ988DT , SIZF914DT .

History: IRF7483MTRPBF | WMM10N60C4 | KIA65R420

 

 
Back to Top

 


 
.