Справочник MOSFET. SISS98DN

 

SISS98DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SISS98DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8S

 Аналог (замена) для SISS98DN

 

 

SISS98DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  vishay
 siss98dn.pdf

SISS98DN SISS98DN

SiSS98DNwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (MAX.) ID (A) a Qg (TYP.) Optimized Qg and Qoss improve efficiency0.105 at VGS = 10 V 14.1200 9.3 nC0.110 at VGS = 7.5 V 13.8 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of PowerPAK 1212-8Scompli

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top