SISS98DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SISS98DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8S

Аналог (замена) для SISS98DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISS98DN даташит

 ..1. Size:341K  vishay
 siss98dn.pdf pdf_icon

SISS98DN

SiSS98DN www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (MAX.) ID (A) a Qg (TYP.) Optimized Qg and Qoss improve efficiency 0.105 at VGS = 10 V 14.1 200 9.3 nC 0.110 at VGS = 7.5 V 13.8 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of PowerPAK 1212-8S compli

Другие IGBT... SISA24DN, SISA66DN, SISA72DN, SISA88DN, SISA96DN, SISB46DN, SISS27ADN, SISS27DN, 7N65, SIUD402ED, SIUD403ED, SIUD412ED, SIZ320DT, SIZ322DT, SIZ346DT, SIZ988DT, SIZF914DT