Справочник MOSFET. SQ2319ADS

 

SQ2319ADS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ2319ADS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2319ADS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  vishay
sq2319ads.pdfpdf_icon

SQ2319ADS

SQ2319ADSwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -10 V 0.075 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.145 Material categorization: ID (A) -4.6for definitions of compliance please see Configuration Singlewww.vis

 8.1. Size:109K  vishay
sq2319es.pdfpdf_icon

SQ2319ADS

SQ2319ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.075 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.145 AEC-Q101 QualifiedcID (A) - 4.6 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Complia

 9.1. Size:219K  vishay
sq2318es.pdfpdf_icon

SQ2319ADS

SQ2318ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055 AEC-Q101 QualifiedcID (A) 6 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS

 9.2. Size:255K  vishay
sq2318aes.pdfpdf_icon

SQ2319ADS

SQ2318AESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please see Configuration Singleww

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF140 | SIHG47N60S | AP6679GS-A-HF | HGI110N08AL | FDMS3624S | KDS3601 | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.