Справочник MOSFET. SQ2319ADS

 

SQ2319ADS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ2319ADS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для SQ2319ADS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2319ADS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  vishay
 sq2319ads.pdf pdf_icon

SQ2319ADS

SQ2319ADSwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -10 V 0.075 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.145 Material categorization: ID (A) -4.6for definitions of compliance please see Configuration Singlewww.vis

 8.1. Size:109K  vishay
 sq2319es.pdf pdf_icon

SQ2319ADS

SQ2319ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.075 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.145 AEC-Q101 QualifiedcID (A) - 4.6 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Complia

 9.1. Size:219K  vishay
 sq2318es.pdf pdf_icon

SQ2319ADS

SQ2318ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055 AEC-Q101 QualifiedcID (A) 6 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS

 9.2. Size:255K  vishay
 sq2318aes.pdf pdf_icon

SQ2319ADS

SQ2318AESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please see Configuration Singleww

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIZ322DT , SIZ346DT , SIZ988DT , SIZF914DT , SQ1421EDH , SQ1440EH , SQ1912EH , SQ1922EEH , 8205A , SQ2361AEES , SQ3418AEEV , SQ3419AEEV , SQ3425EV , SQ3426AEEV , SQ3427AEEV , SQ3461EV , SQ3585EV .

History: IRFPS3810PBF | WMM07N80M3 | IRLML0030TRPBF | FDMS039N08B | RMN3N5R0DN | 3N60G | SSK3018K

 

 
Back to Top

 


 
.