Справочник MOSFET. SQ3419AEEV

 

SQ3419AEEV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ3419AEEV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SQ3419AEEV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3419AEEV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  vishay
sq3419aeev.pdfpdf_icon

SQ3419AEEV

SQ3419AEEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -10 V 0.061 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.093 Typical ESD protection 800 VID (A) -6.9 Material categorization:Configuration Singlefor defi

 8.1. Size:209K  vishay
sq3419eev.pdfpdf_icon

SQ3419AEEV

SQ3419EEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 40 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.050 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.078 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 7.4 Typical ESD Protection 800 V

 9.1. Size:84K  vishay
sq3418aeev.pdfpdf_icon

SQ3419AEEV

Work-In-ProgressSQ3418AEEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Typical ESD protection 800 VRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 AEC-Q101 qualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.042 100 % Rg and UIS testedID (A) 8 Material categorization:Configuration Singl

 9.2. Size:210K  vishay
sq3418eev.pdfpdf_icon

SQ3419AEEV

SQ3418EEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.048 Typical ESD Protection 800 VID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg an

Другие MOSFET... SIZF914DT , SQ1421EDH , SQ1440EH , SQ1912EH , SQ1922EEH , SQ2319ADS , SQ2361AEES , SQ3418AEEV , IRF9540N , SQ3425EV , SQ3426AEEV , SQ3427AEEV , SQ3461EV , SQ3585EV , SQ3987EV , SQ3989EV , SQ4005EY .

History: ME08N20 | ST2300S23RG | AONY36352 | SFW024N100C3 | FDPF7N50U | AUIRF1010Z | IRF7463

 

 
Back to Top

 


 
.