SQ3425EV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQ3425EV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SQ3425EV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3425EV даташит

 ..1. Size:276K  vishay
 sq3425ev.pdf pdf_icon

SQ3425EV

SQ3425EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -20 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.060 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -2.5 V 0.100 Material categorization ID (A) -7.4 for definitions of compliance please see Configuration Single w

 9.1. Size:258K  vishay
 sq3426aeev.pdf pdf_icon

SQ3425EV

SQ3426AEEV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Typical ESD protection 800 V HBM RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.042 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.063 100 % Rg and UIS tested ID (A) 7 Material categorization Configuration Single for definit

 9.2. Size:235K  vishay
 sq3427ev.pdf pdf_icon

SQ3425EV

SQ3427EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.095 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.135 Material categorization ID (A) -5.3 for definitions of compliance please see Configuration Sing

 9.3. Size:254K  vishay
 sq3427aeev.pdf pdf_icon

SQ3425EV

SQ3427AEEV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.095 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.135 Typical ESD protection 800 V ID (A) -5.3 Configuration Single Material categorization for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQ1421EDH, SQ1440EH, SQ1912EH, SQ1922EEH, SQ2319ADS, SQ2361AEES, SQ3418AEEV, SQ3419AEEV, K4145, SQ3426AEEV, SQ3427AEEV, SQ3461EV, SQ3585EV, SQ3987EV, SQ3989EV, SQ4005EY, SQ4940AEY