SQ4005EY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQ4005EY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 922 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SQ4005EY
SQ4005EY Datasheet (PDF)
sq4005ey.pdf
SQ4005EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -12 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.016 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -2.5 V 0.022 Material categorization:ID (A) -15for definitions of compliance please seeConfiguration Single www
Другие MOSFET... SQ3419AEEV , SQ3425EV , SQ3426AEEV , SQ3427AEEV , SQ3461EV , SQ3585EV , SQ3987EV , SQ3989EV , AON6380 , SQ4940AEY , SQ7414CENW , SQA401EJ , SQD40081EL , SQJ148EP , SQJ158EP , SQJ200EP , SQJ202EP .
History: PJP4NA65 | SFP60N100 | SQ3987EV
History: PJP4NA65 | SFP60N100 | SQ3987EV
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent


