Справочник MOSFET. SQ4005EY

 

SQ4005EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4005EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 922 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQ4005EY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4005EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  vishay
 sq4005ey.pdf pdf_icon

SQ4005EY

SQ4005EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -12 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.016 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -2.5 V 0.022 Material categorization:ID (A) -15for definitions of compliance please seeConfiguration Single www

Другие MOSFET... SQ3419AEEV , SQ3425EV , SQ3426AEEV , SQ3427AEEV , SQ3461EV , SQ3585EV , SQ3987EV , SQ3989EV , IRLZ44N , SQ4940AEY , SQ7414CENW , SQA401EJ , SQD40081EL , SQJ148EP , SQJ158EP , SQJ200EP , SQJ202EP .

 

 
Back to Top

 


 
.