SQ4005EY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQ4005EY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 922 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQ4005EY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4005EY даташит

 ..1. Size:223K  vishay
 sq4005ey.pdf pdf_icon

SQ4005EY

SQ4005EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -12 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.016 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -2.5 V 0.022 Material categorization ID (A) -15 for definitions of compliance please see Configuration Single www

Другие IGBT... SQ3419AEEV, SQ3425EV, SQ3426AEEV, SQ3427AEEV, SQ3461EV, SQ3585EV, SQ3987EV, SQ3989EV, AON6380, SQ4940AEY, SQ7414CENW, SQA401EJ, SQD40081EL, SQJ148EP, SQJ158EP, SQJ200EP, SQJ202EP