Справочник MOSFET. SQ4940AEY

 

SQ4940AEY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4940AEY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4940AEY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  vishay
 sq4940aey.pdf pdf_icon

SQ4940AEY

SQ4940AEYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.024 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.029 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please see Configuration Dual

 8.1. Size:251K  vishay
 sq4940ey.pdf pdf_icon

SQ4940AEY

SQ4940EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.035 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055 100 % Rg and UIS TestedID (A) 7 AEC-Q101 QualifiedcConfiguration Dual Compliant to R

 9.1. Size:251K  vishay
 sq4949ey.pdf pdf_icon

SQ4940AEY

SQ4949EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 30DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.035 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.065 100 % Rg and UIS TestedID (A) per leg - 7.5 AEC-Q101 QualifiedcConfiguration Dual

 9.2. Size:255K  vishay
 sq4946aey.pdf pdf_icon

SQ4940AEY

SQ4946AEYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055 Material categorization:For definitions of compliance please seeID (A) per leg 7www.vishay.com/d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SK974L | SDF120JDA-D | FDPF8N50NZU | DG840 | IRLU3715 | KNB1906A | IRLL024NPBF

 

 
Back to Top

 


 
.