Справочник MOSFET. SQJ158EP

 

SQJ158EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ158EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ158EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ158EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  vishay
 sqj158ep.pdf pdf_icon

SQJ158EP

SQJ158EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization: for definitions of compliance please see 1Swww.vishay.com/doc?999122S3S4D1 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYVDS (V) 60G

Другие MOSFET... SQ3987EV , SQ3989EV , SQ4005EY , SQ4940AEY , SQ7414CENW , SQA401EJ , SQD40081EL , SQJ148EP , IRF1407 , SQJ200EP , SQJ202EP , SQJ260EP , SQJ262EP , SQJ407EP , SQJ409EP , SQJ414EP , SQJ416EP .

 

 
Back to Top

 


 
.