SQJ158EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ158EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJ158EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ158EP даташит

 ..1. Size:216K  vishay
 sqj158ep.pdf pdf_icon

SQJ158EP

SQJ158EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 S www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 S 4 D 1 G Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY VDS (V) 60 G

Другие IGBT... SQ3987EV, SQ3989EV, SQ4005EY, SQ4940AEY, SQ7414CENW, SQA401EJ, SQD40081EL, SQJ148EP, IRFP450, SQJ200EP, SQJ202EP, SQJ260EP, SQJ262EP, SQJ407EP, SQJ409EP, SQJ414EP, SQJ416EP