SQJ418EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQJ418EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 68 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 48 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 889 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SQJ418EP Datasheet (PDF)
sqj418ep.pdf
SQJ418EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 100 % Rg and UIS testedID (A) 48 Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please seePackage PowerPAK SO-8Lwww.vishay.com/
sqj410ep.pdf
SQJ410EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0039 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0042 Material categorization:ID (A) 32For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.
sqj414ep.pdf
SQJ414EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization:for definitions of compliance please see1Swww.vishay.com/doc?999122S3S4D1 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYVDS (V) 30GRDS
sqj412ep.pdf
SQJ412EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0041 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0052 Material categorization:ID (A) 32For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.
sqj416ep.pdf
SQJ416EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.030 100 % Rg and UIS testedID (A) 27 Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please seePackage PowerPAK SO-8Lwww.vishay.com/
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
