SQJ418EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ418EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 889 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJ418EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ418EP даташит

 ..1. Size:276K  vishay
 sqj418ep.pdf pdf_icon

SQJ418EP

SQJ418EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 100 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.014 100 % Rg and UIS tested ID (A) 48 Material categorization Configuration Single for definitions of compliance please see Package PowerPAK SO-8L www.vishay.com/

 9.1. Size:154K  vishay
 sqj410ep.pdf pdf_icon

SQJ418EP

SQJ410EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0039 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0042 Material categorization ID (A) 32 For definitions of compliance please see Configuration Single www.

 9.2. Size:267K  vishay
 sqj414ep.pdf pdf_icon

SQJ418EP

SQJ414EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 S www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 S 4 D 1 G Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY VDS (V) 30 G RDS

 9.3. Size:155K  vishay
 sqj412ep.pdf pdf_icon

SQJ418EP

SQJ412EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0041 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0052 Material categorization ID (A) 32 For definitions of compliance please see Configuration Single www.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQJ200EP, SQJ202EP, SQJ260EP, SQJ262EP, SQJ407EP, SQJ409EP, SQJ414EP, SQJ416EP, 5N60, SQJ420EP, SQJ433EP, SQJ446EP, SQJ454EP, SQJ457EP, SQJ464EP, SQJ474EP, SQJ476EP