SQJ914EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ914EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJ914EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ914EP даташит

 ..1. Size:265K  vishay
 sqj914ep.pdf pdf_icon

SQJ914EP

SQJ914EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Material categorization D2 for definitions of compliance please see 1 S1 www.vishay.com/doc?99912 2 G1 3 S2 4 D1 D2 1 G2 1 Top View Bottom View PRODUCT SUMMA

 9.1. Size:269K  vishay
 sqj912bep.pdf pdf_icon

SQJ914EP

SQJ912BEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Material categorization D2 for definitions of compliance please see 1 S1 www.vishay.com/doc?99912 2 G1 3 S2 4 1 D1 1 G2 D2 Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY

 9.2. Size:175K  vishay
 sqj912ep.pdf pdf_icon

SQJ914EP

SQJ912EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.014 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.015 100 % Rg and UIS Tested ID (A) per leg 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Configurati

 9.3. Size:167K  vishay
 sqj910aep.pdf pdf_icon

SQJ914EP

SQJ910AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.007 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0086 Material categorization ID (A) per leg 30 For definitions of compliance please see Configura

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQJ464EP, SQJ474EP, SQJ476EP, SQJ479EP, SQJ570EP, SQJ860EP, SQJ868EP, SQJ912BEP, AO3400A, SQJ946EP, SQJ956EP, SQJ958EP, SQJ990EP, SQJA00EP, SQJA02EP, SQJA04EP, SQJA06EP