Справочник MOSFET. SQJ914EP

 

SQJ914EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ914EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ914EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ914EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  vishay
sqj914ep.pdfpdf_icon

SQJ914EP

SQJ914EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see 1S1www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D21 G21Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMA

 9.1. Size:269K  vishay
sqj912bep.pdfpdf_icon

SQJ914EP

SQJ912BEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization:D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S241 D11 G2D2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY

 9.2. Size:175K  vishay
sqj912ep.pdfpdf_icon

SQJ914EP

SQJ912EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.015 100 % Rg and UIS TestedID (A) per leg 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfigurati

 9.3. Size:167K  vishay
sqj910aep.pdfpdf_icon

SQJ914EP

SQJ910AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.007 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0086 Material categorization:ID (A) per leg 30For definitions of compliance please see Configura

Другие MOSFET... SQJ464EP , SQJ474EP , SQJ476EP , SQJ479EP , SQJ570EP , SQJ860EP , SQJ868EP , SQJ912BEP , RU6888R , SQJ946EP , SQJ956EP , SQJ958EP , SQJ990EP , SQJA00EP , SQJA02EP , SQJA04EP , SQJA06EP .

History: BSC100N10NSFG | AP9926 | WM02P23M | 2SK3492 | 2SK857 | CS14N80V

 

 
Back to Top

 


 
.