SQJ956EP - аналоги и даташиты транзистора

 

SQJ956EP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SQJ956EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0267 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ956EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ956EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
 sqj956ep.pdf pdf_icon

SQJ956EP

SQJ956EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0267 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0290 Material categorization: ID (A) per leg 23For definitions of compliance please see Configuration

 9.1. Size:173K  vishay
 sqj951ep.pdf pdf_icon

SQJ956EP

SQJ951EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 30DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.017 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 30 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Complia

 9.2. Size:225K  vishay
 sqj958ep.pdf pdf_icon

SQJ956EP

SQJ958EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0349 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0385 Material categorization: ID (A) per leg 20For definitions of compliance please see Configuration

 9.3. Size:216K  vishay
 sqj952ep.pdf pdf_icon

SQJ956EP

SQJ952EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.020 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.024 Material categorization:ID (A) per leg 23for definitions of compliance please see Configuratio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQJ476EP , SQJ479EP , SQJ570EP , SQJ860EP , SQJ868EP , SQJ912BEP , SQJ914EP , SQJ946EP , IRFZ48N , SQJ958EP , SQJ990EP , SQJA00EP , SQJA02EP , SQJA04EP , SQJA06EP , SQJA20EP , SQJA60EP .

History: NTHD3133PFT1G | SVS5N70DD2TR

 

 
Back to Top

 


 
.