Справочник MOSFET. SQJ956EP

 

SQJ956EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQJ956EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0267 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SQJ956EP

 

 

SQJ956EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
 sqj956ep.pdf

SQJ956EP SQJ956EP

SQJ956EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0267 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0290 Material categorization: ID (A) per leg 23For definitions of compliance please see Configuration

 9.1. Size:173K  vishay
 sqj951ep.pdf

SQJ956EP SQJ956EP

SQJ951EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 30DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.017 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 30 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Complia

 9.2. Size:225K  vishay
 sqj958ep.pdf

SQJ956EP SQJ956EP

SQJ958EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0349 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0385 Material categorization: ID (A) per leg 20For definitions of compliance please see Configuration

 9.3. Size:216K  vishay
 sqj952ep.pdf

SQJ956EP SQJ956EP

SQJ952EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.020 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.024 Material categorization:ID (A) per leg 23for definitions of compliance please see Configuratio

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top