Справочник MOSFET. SQJ958EP

 

SQJ958EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ958EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0349 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ958EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ958EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  vishay
sqj958ep.pdfpdf_icon

SQJ958EP

SQJ958EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0349 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0385 Material categorization: ID (A) per leg 20For definitions of compliance please see Configuration

 9.1. Size:173K  vishay
sqj951ep.pdfpdf_icon

SQJ958EP

SQJ951EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 30DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.017 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 30 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Complia

 9.2. Size:216K  vishay
sqj952ep.pdfpdf_icon

SQJ958EP

SQJ952EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.020 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.024 Material categorization:ID (A) per leg 23for definitions of compliance please see Configuratio

 9.3. Size:224K  vishay
sqj956ep.pdfpdf_icon

SQJ958EP

SQJ956EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0267 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0290 Material categorization: ID (A) per leg 23For definitions of compliance please see Configuration

Другие MOSFET... SQJ479EP , SQJ570EP , SQJ860EP , SQJ868EP , SQJ912BEP , SQJ914EP , SQJ946EP , SQJ956EP , NCEP15T14 , SQJ990EP , SQJA00EP , SQJA02EP , SQJA04EP , SQJA06EP , SQJA20EP , SQJA60EP , SQJA68EP .

History: WM02P56M3

 

 
Back to Top

 


 
.