Справочник MOSFET. SQJ990EP

 

SQJ990EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ990EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ990EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ990EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  vishay
 sqj990ep.pdf pdf_icon

SQJ990EP

SQJ990EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESSPowerPAK SO-8L Dual Asymmetric TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Optimized for synchronous buck applicationsD2 Material categorization: 1for definitions of compliance please seeS12www.vishay.com/doc?99912G1

 9.1. Size:223K  vishay
 sqj992ep.pdf pdf_icon

SQJ990EP

SQJ992EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0562 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0745 Material categorization: ID (A) per leg 8for definitions of compliance please see Configuration D

Другие MOSFET... SQJ570EP , SQJ860EP , SQJ868EP , SQJ912BEP , SQJ914EP , SQJ946EP , SQJ956EP , SQJ958EP , MMIS60R580P , SQJA00EP , SQJA02EP , SQJA04EP , SQJA06EP , SQJA20EP , SQJA60EP , SQJA68EP , SQJA70EP .

History: PP4B10AD | WFP10N60 | SIR408DP | PZ5S6JZ | SM2054NSV | IRHMJ57260SE | RSR025N03FRA

 

 
Back to Top

 


 
.