SQJ990EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ990EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJ990EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ990EP даташит

 ..1. Size:366K  vishay
 sqj990ep.pdf pdf_icon

SQJ990EP

SQJ990EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURESS PowerPAK SO-8L Dual Asymmetric TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Optimized for synchronous buck applications D2 Material categorization 1 for definitions of compliance please see S1 2 www.vishay.com/doc?99912 G1

 9.1. Size:223K  vishay
 sqj992ep.pdf pdf_icon

SQJ990EP

SQJ992EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0562 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0745 Material categorization ID (A) per leg 8 for definitions of compliance please see Configuration D

Другие IGBT... SQJ570EP, SQJ860EP, SQJ868EP, SQJ912BEP, SQJ914EP, SQJ946EP, SQJ956EP, SQJ958EP, 7N60, SQJA00EP, SQJA02EP, SQJA04EP, SQJA06EP, SQJA20EP, SQJA60EP, SQJA68EP, SQJA70EP