Справочник MOSFET. SQJB00EP

 

SQJB00EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQJB00EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SQJB00EP

 

 

SQJB00EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  vishay
 sqjb00ep.pdf

SQJB00EP SQJB00EP

SQJB00EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D211 G2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top