Справочник MOSFET. SQJB00EP

 

SQJB00EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJB00EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJB00EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJB00EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  vishay
 sqjb00ep.pdf pdf_icon

SQJB00EP

SQJB00EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D211 G2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY

Другие MOSFET... SQJA68EP , SQJA70EP , SQJA82EP , SQJA84EP , SQJA86EP , SQJA88EP , SQJA94EP , SQJA96EP , 5N50 , SQJB40EP , SQJB42EP , SQJB60EP , SQJB68EP , SQJB70EP , SQJB80EP , SQJB90EP , SQM50028EM .

History: IXFR44N60 | SM9993DSQG | IPW60R125C6

 

 
Back to Top

 


 
.