SQJB80EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJB80EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJB80EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJB80EP даташит

 ..1. Size:278K  vishay
 sqjb80ep.pdf pdf_icon

SQJB80EP

SQJB80EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Material categorization D2 for definitions of compliance please see 1 S1 www.vishay.com/doc?99912 2 G1 3 S2 4 D1 D2 1 1 G2 Top View Bottom View PRODUCT SUM

Другие IGBT... SQJA94EP, SQJA96EP, SQJB00EP, SQJB40EP, SQJB42EP, SQJB60EP, SQJB68EP, SQJB70EP, IRF840, SQJB90EP, SQM50028EM, SQM90142E, SQP90142E, SQS401ENW, SQS481ENW, SQS482ENW, SQS484ENW