SQJB80EP - аналоги и даташиты транзистора

 

SQJB80EP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SQJB80EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJB80EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJB80EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  vishay
 sqjb80ep.pdf pdf_icon

SQJB80EP

SQJB80EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see 1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D211 G2Top View Bottom ViewPRODUCT SUM

Другие MOSFET... SQJA94EP , SQJA96EP , SQJB00EP , SQJB40EP , SQJB42EP , SQJB60EP , SQJB68EP , SQJB70EP , IRF840 , SQJB90EP , SQM50028EM , SQM90142E , SQP90142E , SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW , SQS484ENW .

 

 
Back to Top

 


 
.