Справочник MOSFET. SQM90142E

 

SQM90142E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQM90142E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0153 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQM90142E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  vishay
sqm90142e.pdfpdf_icon

SQM90142E

SQM90142Ewww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET power MOSFETTO-263 Package with low thermal resistance AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912SSDDGGTop ViewDPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 200

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CS5N60FA9HD | LR024N | SUD40N02-08 | NTP2955 | HM4N60K | SMK0460D | PMN70XPE

 

 
Back to Top

 


 
.