Справочник MOSFET. SQS401ENW

 

SQS401ENW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQS401ENW
   Маркировка: Q023
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8W

 Аналог (замена) для SQS401ENW

 

 

SQS401ENW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  vishay
 sqs401enw.pdf

SQS401ENW SQS401ENW

SQS401ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -10 V 0.029 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.047 Material categorization: ID (A) -16for definitions of compliance please seeConfiguration Singlew

 6.1. Size:559K  vishay
 sqs401en.pdf

SQS401ENW SQS401ENW

SQS401ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.029 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.047 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 16 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Complian

 9.1. Size:557K  vishay
 sqs400en.pdf

SQS401ENW SQS401ENW

SQS400ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.018 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.032 AEC-Q101 QualifieddID (A) 16 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoH

 9.2. Size:553K  vishay
 sqs405en.pdf

SQS401ENW SQS401ENW

SQS405ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 12 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.020 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.026ID (A) - 16 Material categorization:For definitions of compliance please see Configuration Si

 9.3. Size:198K  vishay
 sqs405enw.pdf

SQS401ENW SQS401ENW

SQS405ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -12 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.020 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -2.5 V 0.026 Wettable flank terminalsID (A) -16Configuration Single Material categorization:for definitio

 9.4. Size:556K  vishay
 sqs404en.pdf

SQS401ENW SQS401ENW

SQS404ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.013 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.015 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.022 100 % Rg and UIS TestedID (A) 16 Co

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK2663

 

 
Back to Top