Справочник MOSFET. SQS481ENW

 

SQS481ENW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQS481ENW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.095 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8W
 

 Аналог (замена) для SQS481ENW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQS481ENW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  vishay
 sqs481enw.pdf pdf_icon

SQS481ENW

SQS481ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8DD AEC-Q101 qualified d77DD66 100 % Rg and UIS tested55 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?999121122SS33 SSS44SS1

 9.1. Size:560K  vishay
 sqs482en.pdf pdf_icon

SQS481ENW

SQS482ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0085 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization:ID (A) 16For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vi

 9.2. Size:561K  vishay
 sqs484en.pdf pdf_icon

SQS481ENW

SQS484ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization:ID (A) 16For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis

 9.3. Size:226K  vishay
 sqs482enw.pdf pdf_icon

SQS481ENW

SQS482ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W SingleD TrenchFET power MOSFETD8DD7 AEC-Q101 qualified d7DD6655 100 % Rg and UIS tested Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121122SS33SSD44SS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQJB68EP , SQJB70EP , SQJB80EP , SQJB90EP , SQM50028EM , SQM90142E , SQP90142E , SQS401ENW , IRFZ44 , SQS482ENW , SQS484ENW , SQSA80ENW , SUD08P06-155L-GE3 , SUD80460E , SUM70060E , SUP10250E , SUP90142E .

History: TPCF8004 | 1N60G-TMS4-T | TK16V60W5 | OSG70R2K6PF | HAT2282C | IXFR24N100Q3 | SLF12N65C

 

 
Back to Top

 


 
.