Справочник MOSFET. STT03L03

 

STT03L03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT03L03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.73 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT03L03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT03L03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  samhop
stt03l03.pdfpdf_icon

STT03L03

GreenProductSTT03L03aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.104 @ VGS=10VSurface Mount Package.30V 3A149 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM

 7.1. Size:134K  samhop
stt03l06.pdfpdf_icon

STT03L03

GreenProductSTT03L06aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.100 @ VGS=10VSurface Mount Package.60V 3A125 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

 9.1. Size:134K  samhop
stt03n10.pdfpdf_icon

STT03L03

GreenProductSTT03N10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.235 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 2.5A300 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

 9.2. Size:127K  samhop
stt03n20.pdfpdf_icon

STT03L03

GreenProductSTT03N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.2.43 @ VGS=10VSurface Mount Package.200V 0.7A2.66 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

Другие MOSFET... FDD6796A , FDD6N20TM , STT03L06 , FDD6N25 , FDD6N50 , FDD6N50F , FDD6N50TMF085 , FDD7N20TM , IRFP250N , FDD7N25LZ , FDD8424H , STT02N20 , FDD8424HF085 , STT02N10 , FDD8444 , FDD8444F085 , FDD8444LF085 .

History: IRF1310NPBF

 

 
Back to Top

 


 
.