STT02N10 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги STT02N10. Основные параметры


   Наименование производителя: STT02N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT02N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT02N10 даташит

 ..1. Size:134K  samhop
 stt02n10.pdf pdf_icon

STT02N10

 8.1. Size:134K  samhop
 stt02n20.pdf pdf_icon

STT02N10

Green Product STT02N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 1.22 @ VGS=10V Surface Mount Package. 200V 1.4A 1.29 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES SOT - 223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

Другие MOSFET... FDD6N50F , FDD6N50TMF085 , FDD7N20TM , STT03L03 , FDD7N25LZ , FDD8424H , STT02N20 , FDD8424HF085 , IRFP250N , FDD8444 , FDD8444F085 , FDD8444LF085 , FDD8445 , FDD8445F085 , FDD8447L , FDD8447LF085 , FDD8451 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.