1N65L-K08-5060-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 1N65L-K08-5060-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12.5 Ohm

Тип корпуса: DFN5060-8

Аналог (замена) для 1N65L-K08-5060-R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

1N65L-K08-5060-R даташит

 0.1. Size:328K  utc
 1n65l-tn3-r 1n65g-tn3-r 1n65l-t60-k 1n65g-t60-k 1n65l-t92-b 1n65g-t92-b 1n65l-t92-k 1n65g-t92-k 1n65l-k08-5060-r 1n65g-k08-5060-r.pdf pdf_icon

1N65L-K08-5060-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N65 Power MOSFET 1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1 SOT-223 TO-92 DESCRIPTION The UTC 1N65 is a high voltage power MOSFET and is 1 1 designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged TO-220 TO-220F avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used i

 8.1. Size:328K  utc
 1n65l-aa3-r 1n65g-aa3-r 1n65l-ta3-t 1n65g-ta3-t 1n65l-tf3-t 1n65g-tf3-t 1n65l-tm3-t 1n65g-tm3-t 1n65l-tma-t 1n65g-tma-t.pdf pdf_icon

1N65L-K08-5060-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N65 Power MOSFET 1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1 SOT-223 TO-92 DESCRIPTION The UTC 1N65 is a high voltage power MOSFET and is 1 1 designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged TO-220 TO-220F avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used i

 9.1. Size:317K  ubiq
 qm01n65l.pdf pdf_icon

1N65L-K08-5060-R

QM01N65L 1 2011-06-15 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM01N65L is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 12 0.2A most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM01N65L meet the RoHS and

Другие IGBT... 1N65L-TN3-R, 1N65G-TN3-R, 1N65L-T60-K, 1N65G-T60-K, 1N65L-T92-B, 1N65G-T92-B, 1N65L-T92-K, 1N65G-T92-K, IRFP460, 1N65G-K08-5060-R, 20N70KL-TF2-T, 20N70KG-TF2-T, 24NM60L-TA3-T, 24NM60G-TA3-T, 24NM60L-TF1-T, 24NM60G-TF1-T, 24NM60L-TF2-T