STT02N07 - аналоги и даташиты транзистора

 

STT02N07 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STT02N07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.216 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT02N07

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT02N07 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:134K  samhop
 stt02n20.pdf pdf_icon

STT02N07

GreenProductSTT02N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.1.22 @ VGS=10VSurface Mount Package.200V 1.4A1.29 @ VGS=4.5VD G GSSTT SERIES SOT - 223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

 8.2. Size:134K  samhop
 stt02n10.pdf pdf_icon

STT02N07

GreenProductSTT02N10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.400 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 2A480 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

Другие MOSFET... FDD8445 , FDD8445F085 , FDD8447L , FDD8447LF085 , FDD8451 , FDD8453LZ , FDD8453LZF085 , FDD850N10L , 8205A , FDD86102 , STT01N20 , FDD86102LZ , STT01L10 , FDD86250 , FDD86326 , FDD8647L , FDD8770 .

History: 2N5523 | FY4ADJ-03A | IRFIZ48G

 

 
Back to Top

 


 
.