STT02N07 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STT02N07
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.216 Ohm
Тип корпуса: SOT223
STT02N07 Datasheet (PDF)
stt02n20.pdf
GreenProductSTT02N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.1.22 @ VGS=10VSurface Mount Package.200V 1.4A1.29 @ VGS=4.5VD G GSSTT SERIES SOT - 223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25
stt02n10.pdf
GreenProductSTT02N10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.400 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 2A480 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25
Другие MOSFET... FDD8445 , FDD8445F085 , FDD8447L , FDD8447LF085 , FDD8451 , FDD8453LZ , FDD8453LZF085 , FDD850N10L , TK10A60D , FDD86102 , STT01N20 , FDD86102LZ , STT01L10 , FDD86250 , FDD86326 , FDD8647L , FDD8770 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918