STT02N07 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STT02N07
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
Выходная емкость (Cd): 32 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.216 Ohm
Тип корпуса: SOT223
STT02N07 Datasheet (PDF)
stt02n20.pdf
GreenProductSTT02N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.1.22 @ VGS=10VSurface Mount Package.200V 1.4A1.29 @ VGS=4.5VD G GSSTT SERIES SOT - 223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25
stt02n10.pdf
GreenProductSTT02N10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.400 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 2A480 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25
Другие MOSFET... FDD8445 , FDD8445F085 , FDD8447L , FDD8447LF085 , FDD8451 , FDD8453LZ , FDD8453LZF085 , FDD850N10L , STP80NF70 , FDD86102 , STT01N20 , FDD86102LZ , STT01L10 , FDD86250 , FDD86326 , FDD8647L , FDD8770 .
