STT02N07 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги STT02N07. Основные параметры


   Наименование производителя: STT02N07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.216 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT02N07

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT02N07 даташит

 8.1. Size:134K  samhop
 stt02n20.pdf pdf_icon

STT02N07

Green Product STT02N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 1.22 @ VGS=10V Surface Mount Package. 200V 1.4A 1.29 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES SOT - 223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

 8.2. Size:134K  samhop
 stt02n10.pdf pdf_icon

STT02N07

Другие MOSFET... FDD8445 , FDD8445F085 , FDD8447L , FDD8447LF085 , FDD8451 , FDD8453LZ , FDD8453LZF085 , FDD850N10L , IRFP260 , FDD86102 , STT01N20 , FDD86102LZ , STT01L10 , FDD86250 , FDD86326 , FDD8647L , FDD8770 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.