STT02N07 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STT02N07  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.216 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STT02N07

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT02N07 даташит

 8.1. Size:134K  samhop
 stt02n20.pdf pdf_icon

STT02N07

Green Product STT02N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 1.22 @ VGS=10V Surface Mount Package. 200V 1.4A 1.29 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES SOT - 223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

 8.2. Size:134K  samhop
 stt02n10.pdf pdf_icon

STT02N07

Другие IGBT... FDD8445, FDD8445F085, FDD8447L, FDD8447LF085, FDD8451, FDD8453LZ, FDD8453LZF085, FDD850N10L, 13N50, FDD86102, STT01N20, FDD86102LZ, STT01L10, FDD86250, FDD86326, FDD8647L, FDD8770