Справочник MOSFET. 2N90G-TN3-R

 

2N90G-TN3-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2N90G-TN3-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для 2N90G-TN3-R

 

 

2N90G-TN3-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  utc
 2n90l-ta3-t 2n90g-ta3-t 2n90l-tf3-t 2n90g-tf3-t 2n90l-tm3-t 2n90g-tm3-t 2n90l-tn3-r 2n90g-tn3-r 2n90l-tnd-r 2n90g-tnd-r.pdf

2N90G-TN3-R 2N90G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N90 Power MOSFET 2A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N90 is an N-channel mode power MOSFET using UTCs advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technologyspecialized in allowing a minimum on-state resistance andsuperior switching performance. It also can withstand high energy

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top