Справочник MOSFET. 2N90G-TND-R

 

2N90G-TND-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N90G-TND-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для 2N90G-TND-R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N90G-TND-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  utc
 2n90l-ta3-t 2n90g-ta3-t 2n90l-tf3-t 2n90g-tf3-t 2n90l-tm3-t 2n90g-tm3-t 2n90l-tn3-r 2n90g-tn3-r 2n90l-tnd-r 2n90g-tnd-r.pdf pdf_icon

2N90G-TND-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N90 Power MOSFET 2A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N90 is an N-channel mode power MOSFET using UTCs advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technologyspecialized in allowing a minimum on-state resistance andsuperior switching performance. It also can withstand high energy

Другие MOSFET... 2N90G-TA3-T , 2N90L-TF3-T , 2N90G-TF3-T , 2N90L-TM3-T , 2N90G-TM3-T , 2N90L-TN3-R , 2N90G-TN3-R , 2N90L-TND-R , SKD502T , 2P50L-AA3-R , 2P50G-AA3-R , 2P50L-TN3-R , 2P50G-TN3-R , 30N06L-TA3-T , 30N06G-TA3-T , 30N06L-TF1-T , 30N06G-TF1-T .

 

 
Back to Top

 


 
.