2P50L-AA3-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2P50L-AA3-R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 6.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.5 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 59 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 8.5 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для 2P50L-AA3-R
2P50L-AA3-R Datasheet (PDF)
..1. Size:477K utc
2p50l-aa3-r 2p50g-aa3-r 2p50l-tn3-r 2p50g-tn3-r.pdf
2p50l-aa3-r 2p50g-aa3-r 2p50l-tn3-r 2p50g-tn3-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2P50 POWER MOSFET -2A, -500V P-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-252The UTC 2P50 is a P-channel MOS Field Effect Transistor. it uses UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. The UTC 2P50 is suitable for high voltage switching applications. 1 FEATURES SOT-
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
