STS6415 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STS6415  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TSOT26

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STS6415

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6415 даташит

 ..1. Size:105K  samhop
 sts6415.pdf pdf_icon

STS6415

Gre r r P Pr Pr Pro STS6415 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 100 @ VGS=-4.5V Suface Mount Package. 105 @ VGS=-4.0V ESD Protected. -20V -2.8A 110 @ VGS=-3.7V 121 @ VGS=-3.1V 138 @ VGS=-2.5V D SOT

 9.1. Size:106K  samhop
 sts6409.pdf pdf_icon

STS6415

re r r P Pr Pr Pro STS6409 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 49 @ VGS=-4.5V Suface Mount Package. 50 @ VGS=-4.0V ESD Protected. 52 @ VGS=-3.7V -20V -4.0A 58 @ VGS=-3.1V 65 @ VGS=-2.5V D SOT 26 T

Другие IGBT... STS8816, FDD8874, STS6N20, FDD8876, STS6604L, FDD8878, STS6601, FDD8880, IRF1407, FDD8882, STS6409, FDD8896, STS6308, FDD8896F085, STS4622, FDD8N50NZ, FDG1024NZ