Справочник MOSFET. STS6415

 

STS6415 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS6415
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TSOT26
 

 Аналог (замена) для STS6415

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  samhop
 sts6415.pdf pdf_icon

STS6415

GrerrPPrPrProSTS6415aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.100 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.105 @ VGS=-4.0VESD Protected.-20V -2.8A 110 @ VGS=-3.7V121 @ VGS=-3.1V138 @ VGS=-2.5VDSOT

 9.1. Size:106K  samhop
 sts6409.pdf pdf_icon

STS6415

rerrPPrPrProSTS6409aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.49 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.50 @ VGS=-4.0VESD Protected.52 @ VGS=-3.7V-20V -4.0A58 @ VGS=-3.1V65 @ VGS=-2.5VDSOT 26T

Другие MOSFET... STS8816 , FDD8874 , STS6N20 , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , 5N65 , FDD8882 , STS6409 , FDD8896 , STS6308 , FDD8896F085 , STS4622 , FDD8N50NZ , FDG1024NZ .

History: IXFH60N25Q | IRFDC20 | MMIX1F520N075T2 | 2N65L | 75309D

 

 
Back to Top

 


 
.