Справочник MOSFET. STS6415

 

STS6415 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS6415
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TSOT26
 

 Аналог (замена) для STS6415

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  samhop
 sts6415.pdf pdf_icon

STS6415

GrerrPPrPrProSTS6415aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.100 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.105 @ VGS=-4.0VESD Protected.-20V -2.8A 110 @ VGS=-3.7V121 @ VGS=-3.1V138 @ VGS=-2.5VDSOT

 9.1. Size:106K  samhop
 sts6409.pdf pdf_icon

STS6415

rerrPPrPrProSTS6409aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.49 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.50 @ VGS=-4.0VESD Protected.52 @ VGS=-3.7V-20V -4.0A58 @ VGS=-3.1V65 @ VGS=-2.5VDSOT 26T

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXTY3N50P | IXTU01N100D

 

 
Back to Top

 


 
.