Справочник MOSFET. 4N70G-T2Q-T

 

4N70G-T2Q-T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 4N70G-T2Q-T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для 4N70G-T2Q-T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

4N70G-T2Q-T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  utc
 4n70l-ta3-t 4n70g-ta3-t 4n70l-tf1-t 4n70g-tf1-t 4n70l-tf3-t 4n70g-tf3-t 4n70l-tm3-t 4n70g-tm3-t 4n70l-tn3-r 4n70g-tn3-r 4n70l-t2q-t 4n70g-t2q-t.pdf pdf_icon

4N70G-T2Q-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N70 Power MOSFET 4.4A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1TO-220 TO-220F DESCRIPTION The UTC 4N70 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching 11time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged TO-252avalanche. This high speed switching power MOSFET is usually TO-220

Другие MOSFET... 4N70G-TF1-T , 4N70L-TF3-T , 4N70G-TF3-T , 4N70L-TM3-T , 4N70G-TM3-T , 4N70L-TN3-R , 4N70G-TN3-R , 4N70L-T2Q-T , IRFP250 , 4N80L-TA3-T , 4N80G-TA3-T , 4N80L-TF1-T , 4N80G-TF1-T , 4N80L-TF2-T , 4N80G-TF2-T , 4N80L-T2Q-T , 4N80G-T2Q-T .

History: NCE50NF330D | AP9974AGH | CEM4228 | SWX170R15ET | FQB9N25TM | IRF6617 | BRCS150P04DP

 

 
Back to Top

 


 
.