4N70G-T2Q-T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 4N70G-T2Q-T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.8 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для 4N70G-T2Q-T
4N70G-T2Q-T Datasheet (PDF)
4n70l-ta3-t 4n70g-ta3-t 4n70l-tf1-t 4n70g-tf1-t 4n70l-tf3-t 4n70g-tf3-t 4n70l-tm3-t 4n70g-tm3-t 4n70l-tn3-r 4n70g-tn3-r 4n70l-t2q-t 4n70g-t2q-t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N70 Power MOSFET 4.4A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1TO-220 TO-220F DESCRIPTION The UTC 4N70 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching 11time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged TO-252avalanche. This high speed switching power MOSFET is usually TO-220
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .