Справочник MOSFET. 5N50G-TF3-T

 

5N50G-TF3-T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 5N50G-TF3-T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для 5N50G-TF3-T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

5N50G-TF3-T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  utc
 5n50l-tf3-t 5n50g-tf3-t 5n50l-tf1-t 5n50g-tf1-t 5n50l-tn3-r 5n50g-tn3-r 5n50l-t2q-t 5n50g-t2q-t.pdf pdf_icon

5N50G-TF3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 5N50 Power MOSFET 5A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 11 DESCRIPTION TO-220FTO-262The UTC 5N50 is an N-channel power MOSFET adopting UTCs advanced technology to provide customers with DMOS, planar stripe technology. This technology is designed to meet the requirements of the minimum on-state resistance and perfect switching performance.

 9.1. Size:345K  trinnotech
 tmd5n50 tmd5n50g tmu5n50 tmu5n50g.pdf pdf_icon

5N50G-TF3-T

TMD5N50/TMU5N50TMD5N50G/TMU5N50GFeaturesVDSS = 550 V @Tjmax Low gate chargeID = 4.5A 100% avalanche testedRDS(ON) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DI-PAKD-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD5N50/TMU5N50 D-PAK/I-PAK TMD5N50/TMU5N50 RoHS

 9.2. Size:925K  cn sinai power
 spd5n50g.pdf pdf_icon

5N50G-TF3-T

SPD5N50G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 550 DS J ID=5A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 1.5DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 42 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 12 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 6.5 gd RoHS compliant Configuration single Ap

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.