Справочник MOSFET. 2SK2514

 

2SK2514 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2514
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 390 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2514 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  1
2sk2514.pdfpdf_icon

2SK2514

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2514SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2514 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed(in millimeter)for high current switching applications.4.7 MAX.FEATURES15.7 MAX. 3.20.21.5 Super Low On-Resistance4RDS (on)1 15 m (VGS = 10 V, ID = 25 A)RDS (on)2 23

 8.1. Size:119K  1
2sk2515.pdfpdf_icon

2SK2514

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2515SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2515 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed(in millimeter)for high current switching applications.4.7 MAX.FEATURES15.7 MAX. 3.20.21.5 Super Low On-Resistance4RDS (on)1 = 9 m (VGS = 10 V, ID = 25 A)RDS (on)2 = 14 m

 8.2. Size:114K  1
2sk2511.pdfpdf_icon

2SK2514

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2511SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2511 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed(in millimeter)for high current switching applications.4.7 MAX.FEATURES15.7 MAX. 3.20.21.5 Super Low On-Resistance4RDS (on)1 = 27 m (VGS = 10 V, ID = 20 A)RDS (on)2 = 40 m

 8.3. Size:81K  1
2sk2512.pdfpdf_icon

2SK2514

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2512SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2512 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed(in millimeter)for high current switching applications.FEATURES10.00.3 4.50.23.20.2 Low On-Resistance2.70.2RDS (on)1 = 15 m (VGS = 10 V, ID = 23 A)RDS (on)2 = 23 m (V

Другие MOSFET... 2SK2488 , 2SK2494-01 , 2SK2498 , 2SK2499 , 2SK2510 , 2SK2511 , 2SK2512 , 2SK2513 , MDF11N65B , 2SK2515 , 2SK2519-01 , 2SK2520-01MR , 2SK2521-01 , 2SK2522-01MR , 2SK2523-01 , 2SK2524-01MR , 2SK2525-01 .

History: 2SJ541 | SFM9214 | APT1003RBFLLG | IXFH15N60 | AUIRFSL4010 | AP65SL190AWL | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.