FDG6332C - описание и поиск аналогов

 

FDG6332C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDG6332C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SC70

Аналог (замена) для FDG6332C

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDG6332C даташит

 ..1. Size:93K  fairchild semi
fdg6332c.pdfpdf_icon

FDG6332C

 ..2. Size:279K  fairchild semi
fdg6332c f085.pdfpdf_icon

FDG6332C

 ..3. Size:277K  onsemi
fdg6332c.pdfpdf_icon

FDG6332C

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 0.1. Size:278K  onsemi
fdg6332c-f085.pdfpdf_icon

FDG6332C

Другие MOSFET... FDG6318P , FDG6318PZ , FDG6320C , STS4501 , FDG6321C , STS4300 , FDG6322C , STS400 , K2611 , STS3623 , FDG6332CF085 , STS3621 , FDG6335N , FDG8842CZ , STS3620 , STS3429 , STS3426 .

History: IRF3704Z

 

 

 


 
↑ Back to Top
.