FDG6335N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDG6335N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SC70

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDG6335N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDG6335N даташит

 ..1. Size:66K  fairchild semi
 fdg6335n.pdf pdf_icon

FDG6335N

October 2001 FDG6335N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 0.7 A, 20 V. RDS(ON) = 300 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 400 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use Low gat

 ..2. Size:183K  onsemi
 fdg6335n.pdf pdf_icon

FDG6335N

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 8.1. Size:93K  fairchild semi
 fdg6332c.pdf pdf_icon

FDG6335N

 8.2. Size:279K  fairchild semi
 fdg6332c f085.pdf pdf_icon

FDG6335N

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDG6321C, STS4300, FDG6322C, STS400, FDG6332C, STS3623, FDG6332CF085, STS3621, 75N75, FDG8842CZ, STS3620, STS3429, STS3426, FDG8850NZ, FDH038AN08A1, FDH047AN08A0, FDH055N15A