FDG6335N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FDG6335N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: SC70
Аналог (замена) для FDG6335N
FDG6335N даташит
fdg6335n.pdf
October 2001 FDG6335N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 0.7 A, 20 V. RDS(ON) = 300 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 400 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use Low gat
fdg6335n.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие MOSFET... FDG6321C , STS4300 , FDG6322C , STS400 , FDG6332C , STS3623 , FDG6332CF085 , STS3621 , AOD4184A , FDG8842CZ , STS3620 , STS3429 , STS3426 , FDG8850NZ , FDH038AN08A1 , FDH047AN08A0 , FDH055N15A .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent






