Справочник MOSFET. 8N60KL-TF1-T

 

8N60KL-TF1-T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 8N60KL-TF1-T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   trⓘ - Время нарастания: 89 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для 8N60KL-TF1-T

 

 

8N60KL-TF1-T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  utc
 8n60kl-ta3-t 8n60kg-ta3-t 8n60kl-tf1-t 8n60kg-tf1-t 8n60kl-tf2-t 8n60kg-tf2-t 8n60kl-tf3-t 8n60kg-tf3-t 8n60kl-tf3t-t 8n60kg-tf3t-t.pdf

8N60KL-TF1-T 8N60KL-TF1-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 8N60K-MT Power MOSFET 8A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 8N60K-MT is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed swi

 9.1. Size:604K  samwin
 swt38n60k.pdf

8N60KL-TF1-T 8N60KL-TF1-T

SW38N60K N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features BVDSS : 600V TO-247 ID : 38A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.084)@VGS=10V RDS(ON) :0.084 Low Gate Charge (Typ 96nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application:ChargerLEDUPSServicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

 9.2. Size:757K  cn hmsemi
 hms8n60k hms8n60i.pdf

8N60KL-TF1-T 8N60KL-TF1-T

HMS8N60I, HMS8N60KN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS@Tjmax 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 540 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 8 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC powerconversion, and industrial power applicati

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top