8N60L-TF2-T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 8N60L-TF2-T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Время нарастания (tr): 60.5 ns
Выходная емкость (Cd): 105 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для 8N60L-TF2-T
8N60L-TF2-T Datasheet (PDF)
8n60l-ta3-t 8n60g-ta3-t 8n60l-tf1-t 8n60g-tf1-t 8n60l-tf2-t 8n60g-tf2-t 8n60l-tf3-t 8n60g-tf3-t 8n60l-t2q-t 8n60g-t2q-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 8N60 Power MOSFET 8A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 8N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching app
irfps38n60l.pdf
PD - 94630SMPS MOSFETIRFPS38N60LApplications HEXFET Power MOSFET Zero Voltage Switching SMPSTrr typ.VDSS RDS(on) typ. ID Telecom and Server Power Supplies Uninterruptible Power Supplies600V 120m 170ns 38A Motor Control applicationsFeatures and Benefits SuperFast body diode eliminates the need for externaldiodes in ZVS applications. Lower Gate c
irfps38n60l sihfps38n60l.pdf
IRFPS38N60L, SiHFPS38N60LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 600AvailableExternal Diodes in ZVS ApplicationsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.12RoHS* Lower Gate Charge Results in Simple DriveCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 320 RequirementsQgs (nC) 85 Enhanced dV/dt Capabilities Offer ImprovedRuggedness
irfps38n60l irfps38n60lpbf sihfps38n60l.pdf
IRFPS38N60L, SiHFPS38N60LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 600AvailableExternal Diodes in ZVS ApplicationsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.12RoHS* Lower Gate Charge Results in Simple DriveCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 320 RequirementsQgs (nC) 85 Enhanced dV/dt Capabilities Offer ImprovedRuggedness
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
